-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Bang-Ren Chen, Yu-Sheng Hsiao, Wei-Cheng Lin, Wen-Jay Lee, Nan-Yow Chen, Tian-Li Wu
المصدر: Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-8 (2024)
مصطلحات موضوعية: GaN HEMT, Electrostatic potential modeling, Machine learning, U-Net, Medicine, Science
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2045-2322
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Chih-Yang Huang, Xin-Ying Tsai, Fu-Gow Tarntair, Catherine Langpoklakpam, Thien Sao Ngo, Pei-Jung Wang, Yu-Cheng Kao, Yi-Kai Hsiao, Niall Tumilty, Hao-Chung Kuo, Tian-Li Wu, Ching-Lien Hsiao, Ray-Hua Horng
المصدر: Materials Today Advances, Vol 22, Iss , Pp 100499- (2024)
مصطلحات موضوعية: Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Yi-Ming Tseng, Bang-Ren Chen, Wei-Cheng Lin, Wen-Jay Lee, Nan-Yow Chen, Tian-Li Wu
المصدر: IEEE Access, Vol 11, Pp 70168-70173 (2023)
مصطلحات موضوعية: GaN power HEMTs, hand-drawn characteristics, reverse designs, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Vivek Parmar, Franz Müller, Jing-Hua Hsuen, Sandeep Kaur Kingra, Nellie Laleni, Yannick Raffel, Maximilian Lederer, Alptekin Vardar, Konrad Seidel, Taha Soliman, Tobias Kirchner, Tarek Ali, Stefan Dünkel, Sven Beyer, Tian-Li Wu, Sourav De, Manan Suri, Thomas Kämpfe
المصدر: Advanced Intelligent Systems, Vol 5, Iss 6, Pp n/a-n/a (2023)
مصطلحات موضوعية: convolutional neural network (CNN), ferroelectric field-effect transistor (FeFET), in-memory computing (IMC), nonvolatile memory (NVM), Computer engineering. Computer hardware, TK7885-7895, Control engineering systems. Automatic machinery (General), TJ212-225
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2640-4567
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Apoorva Sood, Dong-Sing Wuu, Fu-Gow Tarntair, Ngo Thien Sao, Tian-Li Wu, Niall Tumilty, Hao-Chung Kuo, Singh Jitendra Pratap, Ray-Hua Horng
المصدر: Materials Today Advances, Vol 17, Iss , Pp 100346- (2023)
مصطلحات موضوعية: Unintentionally doped (UID) β-Ga2O3 epilayers, Schottky barrier diodes (SBDs), Rapid thermal annealing (RTA), Atomic force microscopy (AFM), Schottky (S), Ohmic (O) contacts, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
وصف الملف: electronic resource
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Quang-Khoi Nguyen, Yi-Jou Lin, Ching Sun, Xuan-Hao Lee, Shih-Kang Lin, Chi-Shou Wu, Tsung-Hsun Yang, Tian-Li Wu, Tsung-Xian Lee, Chao-Hsin Chien, Yeh-Wei Yu, Ching-Cherng Sun
المصدر: Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-12 (2022)
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2045-2322
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Cheng-Hung Wu, Nicolo' Ronchi, Kuan-Chi Wang, Yu-Yun Wang, Sean Mcmitchell, Kaustuv Banerjee, Geert van Den Bosch, Jan van Houdt, Tian-Li Wu
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 109-114 (2022)
مصطلحات موضوعية: Ferroelectrics, endurance, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Ting-Yu Chang, Kuan-Chi Wang, Hsien-Yang Liu, Jing-Hua Hseun, Wei-Cheng Peng, Nicolò Ronchi, Umberto Celano, Kaustuv Banerjee, Jan Van Houdt, Tian-Li Wu
المصدر: Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2104 (2023)
مصطلحات موضوعية: ferroelectric, domain size, reliability, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Chih-Yao Chang, Chien-Sheng Wang, Ching-Yao Wang, Yao-Luen Shen, Tian-Li Wu, Wei-Hung Kuo, Suh-Fang Lin, Chih-Fang Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 2-5 (2021)
مصطلحات موضوعية: GaN, high electron mobility transistor (HEMT), indium–tin–oxide gate electrode, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Chih-Yao Chang, Yao-Luen Shen, Ching-Yao Wang, Shun-Wei Tang, Tian-Li Wu, Wei-Hung Kuo, Suh-Fang Lin, Chih-Fang Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 687-690 (2021)
مصطلحات موضوعية: GaN, high electron mobility transistor (HEMT), indium–tin–oxide gate electrode, PBTI, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource