يعرض 1 - 10 نتائج من 808 نتيجة بحث عن '"UIS"', وقت الاستعلام: 0.82s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Evaluation of Trap Parameters of RC-IGBT After Repetitive Avalanche Stress by DLTS Simulation

    المؤلفون: Yamashita, Yusuke, Watanabe, Yukihiko, Murakawa, Koichi, Yamagishi, Tetsuto

    المصدر: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2024 36th International Symposium on. :52-55 Jun, 2024

    Relation: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Investigation on Robust Avalanche Capacity of Super-Junction IGBT Under UIS Stress

    المؤلفون: Li, L., Li, Z., Wu, Y., Chen, P., Rao, Q., Yang, Y., Xiao, F., Qin, H., Wan, L., Li, W., Ren, M., Zhang, B.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(8):4853-4859 Aug, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    The Transition Behavior of Power LDNMOS at the ON–OFF Transient During Unclamped Inductive-Switching (UIS) Test

    المؤلفون: Lee, J., Liao, C., Lin, G., Nidhi, K., Chuang, C., Huang, S., Chen, K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(7):4247-4252 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Device Model and Energy Loss Mechanism of Enhancement-Mode p-GaN HEMTs Under Unclamped-Inductive-Switching Stress

    المؤلفون: Zhao, Y., Luo, P., Li, J., Wang, C., Yang, L., Wen, H., Li, A., Liu, K., Mao, W.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(7):4066-4071 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Ruggedness of Silicon Power MOSFETs—Part I: Cell Structure Design Related Failure: A Review

    المؤلفون: Tambone, R., Ferrara, A., Siemieniec, R., Wood, A., Magrini, F., Hueting, R.J.E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3445-3457 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Ruggedness of Silicon Power MOSFETs–Part II: Device Design Failures and Modeling: A Review

    المؤلفون: Tambone, R., Ferrara, A., Siemieniec, R., Wood, A., Magrini, F., Hueting, R.J.E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3458-3469 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Study on Characteristics and UIS of Hexagonal Planar SiC VDMOSFETs With Varied JFET Width

    المؤلفون: Luo, H., Wu, H., Zhang, J., Zheng, B., Lang, L., Zhang, G., Chen, X.

    المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability IEEE Trans. Device Mater. Relib. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on. 24(2):323-328 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    UIS Characterization of Hybrid Si/SiC Device under Single Pulse Avalanche Mode

    المؤلفون: Liu, Hangzhi, He, Dehang, Guo, Qicheng, Zhou, Yuming

    المصدر: 2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia) Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia), 2024 IEEE 10th International. :1856-1859 May, 2024

    Relation: 2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia)

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    Investigation of Robust Reliability Performance for 1.2kV 4H-SiC Trench MOSFET with deep P structure

    المؤلفون: Choi, Jake, Lee, Kwangwon, Kim, Howard

    المصدر: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024 8th IEEE. :1-3 Mar, 2024

    Relation: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Output Capacitance Loss of GaN HEMTs in Steady-State Switching

    المؤلفون: Song, Q., Zhang, R., Li, Q., Zhang, Y.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 39(5):5547-5557 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء