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المؤلفون: J. S. Steckel, E. Josse, A. G. Pattantyus-Abraham, M. Bidaud, B. Mortini, H. Bilgen, O. Arnaud, S. Allegret-Maret, F. Saguin, L. Mazet, S. Lhostis, T. Berger, K. Haxaire, L. L. Chapelon, L. Parmigiani, P. Gouraud, M. Brihoum, P. Bar, M. Guillermet, S. Favreau, R. Duru, J. Fantuz, S. Ricq, D. Ney, I. Hammad, D. Roy, A. Arnaud, B. Vianne, G. Nayak, N. Virollet, V. Farys, P. Malinge, A. Tournier, F. Lalanne, A. Crocherie, J. Galvier, S. Rabary, O. Noblanc, H. Wehbe-Alause, S. Acharya, A. Singh, J. Meitzner, D. Aher, H. Yang, J. Romero, B. Chen, C. Hsu, K. C. Cheng, Y. Chang, M. Sarmiento, C. Grange, E. Mazaleyrat, K. Rochereau
المصدر: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9ba7ab2beceb487279311b475596647
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720560 -
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المؤلفون: Michel Haond, Maud Vinet, Alain Aurand, V. Farys, E. Baylac, A. Claverie, E. Petitprez, Emmanuel Josse, Raphael Bingert, M-A. Jaud, T. Poiroux, E. Bechet, Jean-Claude Marin, Didier Dutartre, S. Delmedico, Olivier Weber, C. Bernicot, E. Bernard, P. Sardin, F Andrieu, S. Ortolland, Joris Lacord, E. Serret, R. Berthelon, Patrick Scheer, A. Pofelski, Pierre Perreau, Denis Rideau
المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on
VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on, 2016, Unknown, Unknown Region. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573425⟩
2016 IEEE Symposium on VLSI Technologyمصطلحات موضوعية: Materials science, Delay improvements, Longitudinal stress, Nanobeam diffraction, Silicon on insulator, 02 engineering and technology, Ring oscillator, Integrated circuit design, VLSI circuits, 01 natural sciences, Integrated circuit layout, Integrated circuit testing, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Silicon on insulator technology, Leakage (electronics), Stress management, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Fully depleted silicon-on-insulator, CMOS integrated circuits, Co-optimization, CMOS technology, 020202 computer hardware & architecture, CMOS, Inverter, Voltage
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المؤلفون: V. Farys, A. Jouve, David Fuard
المصدر: Microelectronic Engineering. 83:1111-1114
مصطلحات موضوعية: business.industry, Computer science, Computation, Extreme ultraviolet lithography, Binary number, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, law.invention, Optics, Resist, law, Electrical and Electronic Engineering, Photolithography, business, Lithography, Critical dimension, Aerial image
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المؤلفون: M. Idir, Viviane Muffato, F. Polack, Giuseppe Cautero, V. Farys, Anna Monica Bianco, Etienne Quesnel, C. Vannuffel, Patrick Schiavone, S. La Rosa, M. Bertolo
المساهمون: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Sincrotrone Trieste SCpA (SINCROTRONE TRIESTE), Sincrotrone Trieste SCpA, Département d'Optronique (DOPT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Farys, V, Patrick, Schiavone, François, Polack, Mourad, Idir, Michele, Bertolo, Anna, Bianco, Salvatore La, Rosa, Cautero, Giuseppe, Cyril, Vannuffel, Etienne, Quesnel, Muffato, V.
المصدر: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2005, 87, Issue 2, pp.id. 024102. ⟨10.1063/1.1984097⟩
Applied Physics Letters, 2005, 87, pp.024102. ⟨10.1063/1.1984097⟩مصطلحات موضوعية: X-ray photoelectron spectroscopy, Materials science, masks, Physics and Astronomy (miscellaneous), Extreme ultraviolet lithography, MICROSCOPY, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, law.invention, Optics, molybdenum, Optical microscope, law, 0103 physical sciences, Microscopy, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Diffraction grating, 010302 applied physics, optical microscopy, business.industry, silicon, diffraction gratings, 021001 nanoscience & nanotechnology, Dark field microscopy, ultraviolet lithography, Wavelength, Extreme ultraviolet, Scanning ion-conductance microscopy, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, silicon compounds
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5دورية أكاديمية
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6مؤتمر
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7دورية أكاديمية
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10مؤتمر
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