يعرض 1 - 10 نتائج من 44 نتيجة بحث عن '"Vohra, Anurag"', وقت الاستعلام: 0.95s تنقيح النتائج
  1. 1
    تقرير
    AlN/Si interface engineering to mitigate RF losses in MOCVD grown GaN-on-Si substrates

    المؤلفون: Cardinael, Pieter, Yadav, Sachin, Hahn, Herwig, Zhao, Ming, Banerjee, Sourish, Esfeh, Babak Kazemi, Mauder, Christof, Sullivan, Barry O, Peralagu, Uthayasankaran, Vohra, Anurag, Langer, Robert, Collaert, Nadine, Parvais, Bertrand, Raskin, Jean-Pierre

    مصطلحات موضوعية: Physics - Applied Physics

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2404.02707

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Device optimization for 200V GaN-on-SOI Platform for Monolithicly Integrated Power Circuits

    المؤلفون: Syshchyk, Olga, Cosnier, Thibault, Huang, Zheng-Hong, Cingu, Deepthi, Wellekens, Dirk, Vohra, Anurag, Geens, Karen, Vudumula, Pavan, Chatterjee, Urmimala, Decoutere, Stefaan, Wu, Tian-Li, Bakeroot, Benoit

    المصدر: ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European. :245-248 Sep, 2022

    Relation: ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Development and analysis of thick GaN drift layers on 200 mm CTE-matched substrate for vertical device processing

    المؤلفون: Gonçalez Filho, WalterAff1, Aff2, IDs41598023427471_cor1, Borga, Matteo, Geens, Karen, Cingu, Deepthi, Chatterjee, Urmimala, Banerjee, Sourish, Vohra, Anurag, Han, Han, Minj, Albert, Hahn, Herwig, Marx, Matthias, Fahle, Dirk, Bakeroot, BenoitAff1, Aff2, Decoutere, Stefaan

    المصدر: Scientific Reports. 13(1)

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    A fully integrated half-bridge driver circuit in All-GaN GAN-IC technology

    المؤلفون: Chatterjee, Urmimala, Pauw, Herbert De, Syshchyk, Olga, Cosnier, Thibault, Vohra, Anurag, Decoutere, Stefaan

    المصدر: In Solid State Electronics September 2023 207

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    QUBiC generation 9, a new BiCMOS process optimized for mmWave applications

    المؤلفون: Melai, Joost, Magnee, Peter, Pouwel, Ivo, Weijs, Pieter, Brunets, Ihor, van Dalen, Rob, Vohra, Anurag, Tiemeijer, Luuk, Pijper, Ralf, Tuinhout, Hans, Wils, Nicole, Cazana, Nicolae

    المصدر: 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, 2015 IEEE. :113-116 Oct, 2015

    Relation: 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability.

    المؤلفون: Filho, Walter Gonçalez, Borga, Matteo, Geens, Karen, Khan, Md Arif, Cingu, Deepthi, Chatterjee, Urmimala, Vohra, Anurag, Decoutere, Stefaan, Bakeroot, Benoit

    المصدر: Applied Physics Letters; 3/11/2024, Vol. 124 Issue 11, p1-6, 6p

    مصطلحات موضوعية: THRESHOLD voltage, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, SURFACE scattering, TRENCHES, SURFACE roughness, HIGH voltages, HIGH temperatures

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء