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1دورية أكاديمية
المؤلفون: M. MOSTEFAOUI, H. MAZARI, S. MANSOURI, Z. BENAMARA, R. KHELIFI, K. AMEUR, N. BENSEDDIK, N. BENYAHYA, J. M. BLUET, C. BRU-CHEVALLIER, W. CHIKHAOUI
المصدر: Sensors & Transducers, Vol 27, Iss Special Issue, Pp 280-284 (2014)
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN, HEMTs, LPMOCVD, I-V-T Characteristics., Technology (General), T1-995
وصف الملف: electronic resource
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: N. Benyahya, H. Mazari, N. Benseddik, Z. Benamara, M. Mostefaoui, K. Ameur, J. M. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
المصدر: Sensors & Transducers, Vol 37, Iss Special Issue, Pp 87-92 (2014)
مصطلحات موضوعية: GaN, AlInN, Electrical characterization, HEMT transistor., Technology (General), T1-995
وصف الملف: electronic resource
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3
المؤلفون: W. Chikhaoui, R. Khelifi, H. Mazari, Zineb Benamara, Jean-Marie Bluet, K. Ameur, Catherine Bru-Chevallier, Mohammed Mostefaoui, N. Benyahya, N. Benseddik
المساهمون: Laboratoire de Microélectronique Appliquée, Université Djillali Liabbes, Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: Optical and Quantum Electronics
Optical and Quantum Electronics, Springer Verlag, 2014, 46 (1), pp.209-219. ⟨10.1007/s11082-013-9747-4⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, Equivalent series resistance, business.industry, Schottky barrier, Transistor, Algan gan, High-electron-mobility transistor, 7. Clean energy, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Characterization (materials science), law.invention, [SPI]Engineering Sciences [physics], law, Optoelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical and Electronic Engineering, business, Computer communication networks, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
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4
المصدر: physica status solidi c. 7:92-95
مصطلحات موضوعية: business.industry, Chemistry, Transistor, Pulse duration, Heterojunction, Algan gan, Condensed Matter Physics, law.invention, Nuclear magnetic resonance, Reverse bias, law, Optoelectronics, business, High electron
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5
المؤلفون: Joël Eymery, W. Chikhaoui, Qing Pan, Anna Mukhtarova, Louis Grenet, Christophe Durand, Catherine Bougerol, Eva Monroy, S. Valdueza-Felip, David Peyrade
المساهمون: Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN), Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: physica status solidi (c)
physica status solidi (c), 2013, 10 (3), pp.350-354. ⟨10.1002/pssc.201200682⟩
physica status solidi (c), Wiley, 2013, 10 (3), pp.350-354. ⟨10.1002/pssc.201200682⟩
physica status solidi (c), Wiley, 2012, pp.1-5. ⟨10.1002/pssc.201200682⟩مصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Diffraction, Materials science, business.industry, Superlattice, Doping, Heterojunction, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, Quantum efficiency, Metalorganic vapour phase epitaxy, 0210 nano-technology, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Quantum well
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المؤلفون: W. Chikhaoui, Catherine Bru-Chevallier, Christian Dua, Jean-Marie Bluet, N. Sarazin, M.-A. Poisson
المساهمون: INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES, Alcatel-Thalès, Marcoussis (91), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL
المصدر: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 96 (7), ⟨10.1063/1.3326079⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Materials science, Deep-level transient spectroscopy, Physics and Astronomy (miscellaneous), business.industry, Wide-bandgap semiconductor, Schottky diode, 02 engineering and technology, Atmospheric temperature range, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Fourier transform spectroscopy, Barrier layer, [SPI]Engineering Sciences [physics], 0103 physical sciences, Optoelectronics, Metalorganic vapour phase epitaxy, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Leakage (electronics)
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7
المؤلفون: Nathalie Malbert, M. Oualli, Christian Dua, Catherine Bru-Chevallier, J.-C. De Jaeger, Y. Douvry, Nathalie Labat, Virginie Hoel, C. Sury, W. Chikhaoui, M. Piazza, Arnaud Curutchet, Nicolas Defrance, Jean-Marie Bluet
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: Proceedings of the 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010
IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010
IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010, 2010, United States. pp.139-145, ⟨10.1109/IRPS.2010.5488839⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Materials science, Wide-bandgap semiconductor, Gallium nitride, 02 engineering and technology, Activation energy, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Noise (electronics), Temperature measurement, chemistry.chemical_compound, Reliability (semiconductor), chemistry, 0103 physical sciences, Electronic engineering, Degradation (geology), Composite material, 0210 nano-technology, Order of magnitude
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::381f3919160781af79b5e79660c4d8ea
https://hal.science/hal-00550009 -
8
المؤلفون: P. Girard, Raphaël Aubry, Georges Bremond, Jean-Marie Bluet, Christian Dua, Catherine Bru-Chevallier, W. Chikhaoui
المساهمون: INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL, Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES
المصدر: Physica B: Condensed Matter
Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2009, 404 (23-24), pp.4877-4879. ⟨10.1016/j.physb.2009.08.231⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Materials science, Deep-level transient spectroscopy, Condensed matter physics, Schottky barrier, Gallium nitride, Heterojunction, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Poole–Frenkel effect, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry.chemical_compound, Surface coating, [SPI]Engineering Sciences [physics], chemistry, Depletion region, 0103 physical sciences, Metalorganic vapour phase epitaxy, Electrical and Electronic Engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
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9
المؤلفون: W. Chikhaoui, Catherine Bru-Chevallier, M. Oualli, Nathalie Labat, J.-C. De Jaeger, Nathalie Malbert, Y. Douvry, Virginie Hoel, C. Sury, Nicolas Defrance, Jean-Marie Bluet, Christian Dua, Arnaud Curutchet
المساهمون: Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, ANR-06-BLAN-0118,CARDYNAL,CARactérisation électrique et Modélisation physique des DYsfonctionnements des HEMTs à base de Nitrure de gALlium(2006), Labat, Nathalie, Programme 'blanc' - CARactérisation électrique et Modélisation physique des DYsfonctionnements des HEMTs à base de Nitrure de gALlium - - CARDYNAL2006 - ANR-06-BLAN-0118 - BLANC - VALID
المصدر: Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2009, 49 (9-11), pp.1216-1221. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.015⟩
GaN microwave component technology workshop
GaN microwave component technology workshop, Mar 2009, Ulm, Germany
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49, pp.1216-1221. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.015⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, Schottky barrier, Lag, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 02 engineering and technology, High-electron-mobility transistor, Activation energy, Low frequency, 01 natural sciences, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Electrical and Electronic Engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Safety, Risk, Reliability and Quality, Saturation (magnetic), ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Ageing, Optoelectronics, business, Voltage
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10دورية أكاديمية
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