-
1دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(8):4062-4066 Aug, 2023
-
2
-
3دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(7):3611-3616 Jul, 2022
-
4دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Open Journal of Nanotechnology IEEE Open J. Nanotechnol. Nanotechnology, IEEE Open Journal of. 2:72-77 2021
-
5مؤتمر
المؤلفون: Hou, Zhao-Zhao, Yin, Hua-Xiang, Wu, Zhen-Hua
المصدر: 2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018 14th IEEE International Conference on. :1-3 Oct, 2018
Relation: 2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)
-
6مؤتمر
المؤلفون: Srinivasan, P., Ranjan, R., Cimino, S., Zainuddin, A., Kannan, B., Pantisano, L., Mahmud, I., Dilliway, G., Nigam, T.
المصدر: 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018 IEEE International. :6F.2-1-6F.2-5 Mar, 2018
Relation: 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
-
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Wen-Teng Chang, Meng-His Li, Chun-Hao Hsu, Wen-Chin Lin, Wen-Kuan Yeh
المصدر: IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 2, Pp 72-77 (2021)
مصطلحات موضوعية: Work function metal, threshold voltage tuning, energy-dispersive X-ray spectroscopy, FinFETs, reliability, Chemical technology, TP1-1185, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 6:861-865 2018
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Chen, Y.-T., Fu, S.-I., Chiang, W.-T., Lin, C.-T., Tsai, S.-H., Wang, S.-W., Chang, S.-J.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 33(7):946-948 Jul, 2012