المؤلفون: Cécile Berne, Kira Tsyganenko, Fabrice Letertre, Olivier Rayssac, Frederic Allibert, Konstantin Bourdelle, Xavier Hebras, Christophe Figuet, Alice Boussagol, Audrey Lambert, Frank Fournel, Carlos Mazure

المصدر: ECS Transactions. 3:409-415

مصطلحات موضوعية: Fabrication, Materials science, CMOS, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Crystal orientation, Electronic engineering, Nanotechnology, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ffdc3bdc86a7b267b383361f083543d5
https://doi.org/10.1149/1.2355775

المؤلفون: Marc Respaud, T. Besombes, C. Rouhabi, C. Capello, Gérard Benassayag, F. Gessinn, Fabien Guérin, Alain Claverie, Xavier Hebras, Reasmey P. Tan

المصدر: J3eA. 16:1011

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86d71ba847779cce9637563e800a29b4
https://doi.org/10.1051/j3ea/20171011

المؤلفون: Xavier Hebras, Musa Mundedi, Philippe Bobola, Claude Gaudeau de Gerlicz, Mathias Antoine, Nicolas Flawisky

المصدر: The Physics of Reality.

مصطلحات موضوعية: Quantum mechanics, Quantum entanglement, Formal system, Mathematics

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2ec6e9237e70c3e9ed377eeb9596c8b
https://doi.org/10.1142/9789814504782_0036

المؤلفون: Fuccio Cristiano, Fabrice Severac, Wilfried Lerch, Silke Paul, Filippo Giannazzo, Xavier Hebras, Pier-Francesco Fazzini, Eléna Bedel-Pereira

المصدر: Journal of applied physics 105 (2009): 043711. doi:10.1063/1.3079505
info:cnr-pdr/source/autori:Severac F, Cristiano F, Bedel-Pereira E, Fazzini PF, Lerch W, Paul S, Hebras X, Giannazzo F/titolo:Impact of boron-interstitial clusters on Hall scattering factor in high-dose boron-implanted ultrashallow junctions/doi:10.1063%2F1.3079505/rivista:Journal of applied physics/anno:2009/pagina_da:043711/pagina_a:/intervallo_pagine:043711/volume:105

مصطلحات موضوعية: Ion implantation, Chemistry, Scattering, Hall effect, Annealing (metallurgy), annealing, boron, chemical vapour deposition, elemental semiconductors, germanium, interstitials, ion implantation, scanning probe microscopy, secondary ion mass spectra, semiconductor doping, Doping, Analytical chemistry, General Physics and Astronomy, chemistry.chemical_element, Germanium, Scanning capacitance microscopy, Boron

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::be8ff46d1614c2dd8a9e41f267c69b5f
https://publications.cnr.it/doc/36547

المؤلفون: Alain Claverie, Fuccio Cristiano, Wilfried Lerch, Silke Paul, Y. Lamrani, P. Calvo, Xavier Hebras, Nikolay Cherkashin

المساهمون: Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

المصدر: Materials Science and Engineering: B
Materials Science and Engineering: B, 2004, 114-115 (SPEC. ISS.), pp.174-179. ⟨10.1016/j.mseb.2004.07.049⟩
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2004, 114-115 (SPEC. ISS.), pp.174-179. ⟨10.1016/j.mseb.2004.07.049⟩

مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], Materials science, Dopant, Mechanical Engineering, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Dopant Activation, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Isothermal process, Secondary ion mass spectrometry, chemistry, Mechanics of Materials, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, General Materials Science, Thermal stability, 0210 nano-technology, Boron, Sheet resistance

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::548c73af1330b61bdde258703081012a
https://hal.science/hal-01736096

المؤلفون: C.J. Ortiz, B. Colombeau, Peter Pichler, Nick E. B. Cowern, B.J. Pawlak, Wilfried Lerch, A. J. Smith, Filadelfo Cristiano, D. Bolze, Silke Paul, Xavier Hebras

المصدر: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..

مصطلحات موضوعية: Ion implantation, chemistry, business.industry, Fluorine, Optoelectronics, chemistry.chemical_element, Nanotechnology, Diffusion (business), business, Boron

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbe1b46159e193664fa5b592fd14f2f5
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419348

المؤلفون: Nikolay Cherkashin, Wilfried Lerch, Silke Paul, Xavier Hebras, Fuccio Cristiano

المساهمون: Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole)

المصدر: Symposium C – Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology
Symposium C – Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology, 2004, indéterminée, Unknown Region. pp.215-221, ⟨10.1557/PROC-810-C5.4⟩
MRS Proceedings
MRS Proceedings, 2004, 810, ⟨10.1557/proc-810-c5.4⟩
Scopus-Elsevier

مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Ostwald ripening, [PHYS]Physics [physics], Materials science, Dopant, Diffusion, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, symbols.namesake, chemistry, Phase (matter), 0103 physical sciences, symbols, Wafer, 0210 nano-technology, Boron, Dissolution, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Sheet resistance

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::388a669c3845d94727e42a60aa1aa25a
https://hal.science/hal-01736106

المؤلفون: Wilfried Lerch, B. Bayha, Edwin A. Arevalo, Nikolay Cherkashin, Silke Paul, Daniel F. Downey, Xavier Hebras

المساهمون: Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology
Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology, 2002, 22-27-September-2002, pp.618-621. ⟨10.1109/IIT.2002.1258081⟩

مصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], Materials science, Silicon, business.industry, 020209 energy, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, International Technology Roadmap for Semiconductors, Ion implantation, Electrical resistance and conductance, chemistry, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Optoelectronics, Junction temperature, Wafer, Diffusion (business), 0210 nano-technology, business, Sheet resistance

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c77d412329b9150e9a35b4af7e75245f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01736121

المؤلفون: Xavier Hebras, D. Bolze, Silke Paul, T. Graf, N.E.B. Cowern, B. Colombeau, A. J. Smith, Fuccio Cristiano, J. Benson, Wilfried Lerch

المصدر: Applied Physics Letters. 86:101905

مصطلحات موضوعية: Ion implantation, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), chemistry, Silicon, Co implantation, Diffusion, Fluorine, chemistry.chemical_element, Germanium, Photochemistry, Boron, Epitaxy

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0216f8b7ee33c856497472f6a94884e
https://doi.org/10.1063/1.1870131