يعرض 1 - 10 نتائج من 128 نتيجة بحث عن '"Yun, J.-G."', وقت الاستعلام: 1.23s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Three-Dimensional nand Flash Architecture Design Based on Single-Crystalline STacked ARray

    المؤلفون: Kim, Y., Yun, J.-G., Park, S. H., Kim, W., Seo, J. Y., Kang, M., Ryoo, K.-C., Oh, J.-H., Lee, J.-H., Shin, H., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(1):35-45 Jan, 2012

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    LAyer Selection by ERase (LASER) With an Etch-Through-Spacer Technique in a Bit-Line Stacked 3-D nand Flash Memory Array

    المؤلفون: Yun, J.-G., Park, S. H., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(7):1892-1897 Jul, 2011

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Single-Crystalline Si STacked ARray (STAR) NAND Flash Memory

    المؤلفون: Yun, J.-G., Kim, G., Lee, J.-E., Kim, Y., Shim, W. B., Lee, J.-H., Shin, H., Lee, J. D., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(4):1006-1014 Apr, 2011

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    A Charge Trap Folded nand Flash Memory Device With Band-Gap-Engineered Storage Node

    المؤلفون: Cho, S., Shim, W. B., Kim, Y., Yun, J.-G., Lee, J. D., Shin, H., Lee, J.-H., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(2):288-295 Feb, 2011

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    A Vertical 4-Bit SONOS Flash Memory and a Unique 3-D Vertical nor Array Structure

    المؤلفون: Kim , Y., Park, I. H., Cho, S., Yun, J.-G., Lee, J. H., Kim, D.-H., Lee, G. S., Park, S.-H., Lee, D. H., Sim, W. B., Kim, W., Shin, H., Lee, J.-D., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 9(1):70-77 Jan, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Independent Double-Gate Fin SONOS Flash Memory Fabricated With Sidewall Spacer Patterning

    المؤلفون: Yun, J.-G., Kim, Y., Park, I. H, Lee, J. H., Kang, D., Lee, M., Shin, H., Lee, J. D., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(8):1721-1728 Aug, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    A 2-Bit Recessed Channel Nonvolatile Memory Device With a Lifted Charge-Trapping Node

    المؤلفون: Yun, J.-G., Park , I. H., Cho, S., Lee, J. H., Kim , D.-H., Lee, G. S., Kim, Y., Lee , J. D., Park, B.-G.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 8(1):111-115 Jan, 2009

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Co-Induced Low-Temperature Silicidation of Ni Germanosilicide Using NiPt Alloy and the Effect of Ge Ratio on Thermal Stability

    المؤلفون: Yun, J.-G., Oh, S.-Y., Huang, B.-F., Kim, Y.-J., Ji, H.-H., Kim, Y.-G., Park, S.-H., Lee, H.-S., Kim, D.-B., Kim, U.-S., Cha, H.-S., Hu, S.-B., Lee, J.-G., Lee, H.-D.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 6(5):485-491 Sep, 2007

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Thermal Stability Improvement of Ni–Germano silicide Utilizing Ni–Pd Alloy for Nanoscale CMOS Technology

    المؤلفون: Kim, Y.-J., Oh, S.-Y., Yun, J.-G., Lee, W.-J., Zhang, Y.-Y., Zhong, Z., Jung, S.-Y., Ji, H.-H., Cha, H.-S., Kim, Y.-C., Wang, J.-S., Lee, H.-D.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 6(4):431-437 Jul, 2007

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Abnormal drain current (ADC) effect and its mechanism in FD SOI MOSFETs

    المؤلفون: Yun, J.-G., Cristoloveanu, S., Bawedin, M., Flandre, D., Hi-Deok Lee

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(2):123-126 Feb, 2006

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء