-
1دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 89-95 (2021)
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN, high-electron-mobility transistor (HEMT), recovery, reverse ESD stress, low-frequency noise (LFN), Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: J. He, Y. Q. Chen, Z. Y. He, Y. F. En, C. Liu, Y. Huang, Z. Li, M. H. Tang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 76-81 (2019)
مصطلحات موضوعية: GaN HEMT, hydrogen poisoning, hot electron stress, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3
المؤلفون: X. B. Xu, Y. Q. Chen, Y. Chen, Z. H. Fan, Q. R. Wei, J. L. Wang, Z. Y. He, C. Liu, G. G. Lu, Y. Huang, Y. Ren, Y. F. En
المصدر: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 10:7648-7652
مصطلحات موضوعية: Energy Engineering and Power Technology, Electrical and Electronic Engineering
-
4
المؤلفون: L. J. Yang, J. Z. Zhou, Y. F. Zheng, X. Hu, Z. Y. He, L. J. Du, X. Gu, X. Y. Huang, J. Li, Y. Q. Li, L. Y. Pan, X. X. Zhang, X. J. Gu
المصدر: Journal of Endocrinological Investigation.
مصطلحات موضوعية: Endocrinology, Endocrinology, Diabetes and Metabolism
-
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.