يعرض 1 - 10 نتائج من 65 نتيجة بحث عن '"bulk FinFETs"', وقت الاستعلام: 1.12s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Process technological analysis for dynamic characteristic improvement of 16-nm HKMG bulk FinFET CMOS circuits

    المؤلفون: Su, Ping-Hsun, Li, Yiming

    المصدر: 2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) Nanotechnology (IEEE-NANO), 2016 IEEE 16th International Conference on. :812-815 Aug, 2016

    Relation: 2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Device scaling model for bulk FinFETs

    المؤلفون: Medury, A., Mercha, K., Ritzenthaler, R., De Keersgieter, A., Chiarella, T., Collaert, N., Bhat, N., Bhat, K. N

    المصدر: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012 13th International Conference on. :113-116 Mar, 2012

    Relation: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Low-Frequency-Noise Investigation of n-Channel Bulk FinFETs Developed for One-Transistor Memory Cells

    المؤلفون: Simoen, E., de Andrade, M. G. C., Aoulaiche, M., Collaert, N., Claeys, C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(5):1272-1278 May, 2012

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Analysis of In-Line Process Parameters of the Unity Gain Frequency of HKMG Bulk FinFET Devices

    المؤلفون: Su, P., Li, Y.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 39(3):335-338 Mar, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Importance of $\Delta V_{{\text {DIBLSS}}}/({I}_{{\text {on}}} /{I}_{{\text {off}}})$ in Evaluating the Performance of n-Channel Bulk FinFET Devices

    المؤلفون: Eng, Y., Hu, L., Chang, T., Hsu, S., Chiou, C.M., Wang, T., Yang, C., Cheng, O., Wang, C., Tseng, C.S., Huang, R., Lin, P., Lu, K., Chang, I., Lee, C., Wu, Y., Chang, M.

    المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 6:207-213 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Design Consideration of Bulk FinFETs Devices With $\hbox{\rm n}^{+}\hbox{/}^{}\hbox{\rm p}^{+}\hbox{/}^{}\hbox{\rm n}^{{+}}$ Gate and $\hbox{\rm p}^{+}\hbox{/}^{}\hbox{\rm n}^{{+}}$ Gate for Sub-50-nm DRAM Cell Transistors

    المؤلفون: Park, K., Min Kim, Y., Choi, B. -K., Han, K.-R., Lee, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 7(4):427-433 Jul, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    A Novel Small-Signal Model for Bulk FinFETs Accommodating Self-Heating Behaviors

    المؤلفون: Liu, J., Ren, K., Sun, L., Yu, Z.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 38(7):839-842 Jul, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Toward full fluctuation analysis of small FETs

    المؤلفون: Li, Yiming, Cheng, Hui-Wen

    المصدر: 2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for. :1-2 May, 2012

    Relation: 2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    A Systematic Approach to Correlation Analysis of In-Line Process Parameters for Process Variation Effect on Electrical Characteristic of 16-nm HKMG Bulk FinFET Devices

    المؤلفون: Su, P., Li, Y.

    المصدر: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing IEEE Trans. Semicond. Manufact. Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on. 29(3):209-216 Aug, 2016

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Improved Short Channel Effect Control in Bulk FinFETs With Vertical Implantation to Form Self-Aligned Halo and Punch-Through Stop Pocket

    المؤلفون: Xu, M., Zhu, H., Zhao, L., Yin, H., Zhong, J., Li, J., Zhao, C., Chen, D., Ye, T.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 36(7):648-650 Jul, 2015

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء