المؤلفون: Shi, Y., Wu, S., He, Z., Cai, Z., Cheng, L., Rao, Y., Xiao, Q., Chen, Y., Lu, G.

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 11:426-431 2023

المؤلفون: Yijun Shi, Shan Wu, Zhiyuan He, Zongqi Cai, Liye Cheng, Yunliang Rao, Qingzhong Xiao, Yiqiang Chen, Guoguang Lu

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 426-431 (2023)

مصطلحات موضوعية: GaN HEMTs, power cycling test, package degradation, chip-level degradation, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/10188904/; https://doaj.org/toc/2168-6734

URL الوصول: https://doaj.org/article/62263d63d3614aa89dbce2ee308612e3

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.