يعرض 1 - 10 نتائج من 1,357 نتيجة بحث عن '"fermi-level pinning"', وقت الاستعلام: 1.37s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    8F² Ternary Content Addressable Memory Array Utilizing Interface Passivated Ge Memory-Diodes With 2 × 10⁵ Self-Rectifying Ratio

    المؤلفون: Ding, X., Zhang, H., Wang, X., Zhou, X., Lee, C., Zhao, Y.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(5):833-836 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Fermi-Level Pinning Effect in Gate Region: A Case Study of Multimetal Gated AlGaN/GaN HEMT for High RF Linearity

    المؤلفون: Hossain, Toiyob, Sikder, Bejoy, Azad, Md. Tasnim, Xie, Qingyun, Yuan, Mengyang, Yagyu, Eiji, Teo, Koon Hoo, Palacios, Tomas, Chowdhury, Nadim

    المصدر: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024 8th IEEE. :1-3 Mar, 2024

    Relation: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Steeper Subthreshold Swing Attained in Ge-Source Inductive Tunneling FET via Epitaxial Tunnel Layer for Suppressed Point Tunneling

    المؤلفون: Chang, Yen-Chen, Tai, Wei-Heng, Lin, Jyi-Tsong

    المصدر: 2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON) ASIC (ASICON), 2023 IEEE 15th International Conference on. :1-4 Oct, 2023

    Relation: 2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Homogeneous barrier height temperature dependence of Au/n-type GaAs Schottky diode

    المؤلفون: Chakir, HindAff1, Aff2, Mamor, MohammedAff1, IDs12648023029253_cor2, Bouziane, Khalid

    المصدر: Indian Journal of Physics. 98(5):1623-1628

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Fermi-Level Pinning Engineering for Achieving High-Performance Ge-Based Resistive Memory With Ultrahigh Self-Rectifying Ratio (> 105)

    المؤلفون: Ding, X., Wei, N., Qu, Y., Lan, Z., Yu, X., Yan, C., Weng, Z., Gao, S., Nishimura, T., Zhao, L., Lee, C., Zhao, Y.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(12):6751-6756 Dec, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    TCAD Analysis of O-Terminated Diamond m-i-p+ Diode Characteristics Dependencies on Surface States CNL and Metal-Induced Gap States

    المؤلفون: Pullaiah, Y., Bajaj, M., Badami, O., Nayak, K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(1):271-277 Jan, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Optical Pumping and Electrical Injection of a 3.6 μ m Interband Cascade Laser

    المؤلفون: Olafsen, L.J., Stephens, K.A., Devries, D.R.

    المصدر: IEEE Journal of Quantum Electronics IEEE J. Quantum Electron. Quantum Electronics, IEEE Journal of. 58(2):1-8 Apr, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Effects of Carbon Incorporation on Electrical Characteristics and Thermal Stability of Ti/TiO2/n-Ge MIS Contact

    المؤلفون: Park, I., Shin, S., Kim, J., Jin, B., Lee, J.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 10:84689-84693 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Substrate Doping and Defect Influence on P-Rich InP(001):H Surface Properties

    المؤلفون: Rachele Sciotto, Isaac Azahel Ruiz Alvarado, Wolf Gero Schmidt

    المصدر: Surfaces, Vol 7, Iss 1, Pp 79-87 (2024)

    مصطلحات موضوعية: III–V semiconductors, Indium phosphide, surface states, surface defects, band bending, Fermi level pinning, Physics, QC1-999

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.mdpi.com/2571-9637/7/1/6; https://doaj.org/toc/2571-9637

    URL الوصول: https://doaj.org/article/244d209139e6406f914423146efbfbb3

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Modeling of Semiconductor Substrates for RF Applications: Part I—Static and Dynamic Physics of Carriers and Traps

    المؤلفون: Rack, M., Allibert, F., Raskin, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(9):4598-4605 Sep, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء