المؤلفون: Glass, S., Kato, K., Kibkalo, L., Hartmann, J., Takagi, S., Buca, D., Mantl, S., Qing-Tai, Z.

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 6:1070-1076 2018

المؤلفون: Hsu, W., Mantey, J., Register, L.F., Banerjee, S.K.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 62(7):2292-2299 Jul, 2015

المؤلفون: Stefan Glass, Kimihiko Kato, Lidia Kibkalo, Jean-Michel Hartmann, Shinichi Takagi, Dan Buca, Siegfried Mantl, Zhao Qing-Tai

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1070-1076 (2018)

مصطلحات موضوعية: Tunnel FET, dual-metal gate, gate-normal tunneling, work function tuning, field-induced quantum confinement, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8430501/; https://doaj.org/toc/2168-6734

URL الوصول: https://doaj.org/article/2c5f77c12f4d49d5b34ec919b5b1506d

المؤلفون: Glaß, Stefan

المساهمون: Mantl, Siegfried, Wuttig, Matthias

المصدر: Aachen 1 Online-Ressource (xiii, 129 Seiten) : Illustrationen, Diagramme (2019). doi:10.18154/RWTH-2019-02684 = Dissertation, RWTH Aachen University, 2019

مصطلحات موضوعية: MOSFET, Si/SiGe heterostructure, gate-normal tunneling, TFET, ddc:530, semiconductor

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5f1c1c35df780d1a7cc9e564a3506ea
https://publications.rwth-aachen.de/record/758125

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.