-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Zhang, Fan, Yu, Qiang, Zhao, Hu-wei, Zhao, YueAff1, IDs1105102305906z_cor4
المصدر: Journal of Nanoparticle Research: An Interdisciplinary Forum for Nanoscale Science and Technology. 25(12)
-
2
المصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40مصطلحات موضوعية: УДК 537.5, multicharged ion implantation, gallium arsenide, CMOS technology, Schottky transistor, p+-n junction, graded band gap solar cell, багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p+-n перехід, варізонний сонячний елемент, многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p+-n переход, варизонный солнечный элемент
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0dd3e81dce9f912e5689280f6b4d3f7d
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233 -
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4مورد إلكتروني
عناروين إضافية: Разработка технологии многозарядной ионной имплантации GaAs для субмикронных структур больших интегральных схем
Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схемالمصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 1729-4061; 1729-3774
مصطلحات الفهرس: multicharged ion implantation, gallium arsenide, CMOS technology, Schottky transistor, p+-n junction, graded band gap solar cell, многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p+-n переход, варизонный солнечный элемент, багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p+-n перехід, варізонний сонячний елемент, УДК 537.5, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
URL:
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233/53438 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233/53438