المؤلفون: Gimenez, Salvador Pinillos^Aff3, Galembeck, Egon Henrique Salerno^Aff4

المساهمون: Gimenez, Salvador Pinillos^Aff1, Galembeck, Egon Henrique Salerno^Aff2

المصدر: Differentiated Layout Styles for MOSFETs : Electrical Behavior in Harsh Environments. :65-85

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Grundmann, Marius^Aff11

المساهمون: Becker, Kurt H., Series editor^Aff1, Hassani, Sadri, Series editor^Aff2, Munro, Bill, Series editor^Aff3, Needs, Richard, Series editor^Aff4, Rhodes, William T., Series editor^Aff5, Scott, Susan, Series editor^Aff6, Stanley, H. Eugene, Series editor^Aff7, Stutzmann, Martin, Series editor^Aff8, Wipf, Andreas, Series editor^Aff9, Grundmann, Marius^Aff10

المصدر: The Physics of Semiconductors : An Introduction Including Nanophysics and Applications. :25-39

المؤلفون: Hwan-Young Kim, Da-Seul Kim, Kun-Su Kim, Nong-Moon Hwang

المصدر: Nanomaterials, Vol 10, Iss 12, p 2504 (2020)

مصطلحات موضوعية: HFCVD, nanodiamonds, cubic diamond, n-diamond, hexagonal diamond, i-carbon, Chemistry, QD1-999

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/2079-4991/10/12/2504; https://doaj.org/toc/2079-4991

URL الوصول: https://doaj.org/article/386d7f0fda5f4f72971f6ca489486fcd

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Núñez-Regueiro, M., Marques, L., Hodeau, J. L., Xu, C. H., Scuseria, G. E.

المساهمون: Hull, Robert, editor^Aff1, Osgood, R. M., Jr., editor^Aff2, Sakaki, H., editor^Aff3, Zunger, Alex, editor^Aff4, Eklund, Peter C., editor^Aff5, Rao, Apparao M., editor^Aff5

المصدر: Fullerene Polymers and Fullerene Polymer Composites. 38:241-264