-
1دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 9:2-5 2021
-
2دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 9:687-690 2021
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Chih-Yao Chang, Chien-Sheng Wang, Ching-Yao Wang, Yao-Luen Shen, Tian-Li Wu, Wei-Hung Kuo, Suh-Fang Lin, Chih-Fang Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 2-5 (2021)
مصطلحات موضوعية: GaN, high electron mobility transistor (HEMT), indium–tin–oxide gate electrode, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Chih-Yao Chang, Yao-Luen Shen, Ching-Yao Wang, Shun-Wei Tang, Tian-Li Wu, Wei-Hung Kuo, Suh-Fang Lin, Chih-Fang Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 687-690 (2021)
مصطلحات موضوعية: GaN, high electron mobility transistor (HEMT), indium–tin–oxide gate electrode, PBTI, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource