المؤلفون: Devki N. Talwar, Piotr Becla

المصدر: Solids, Vol 4, Iss 4, Pp 287-303 (2023)

مصطلحات موضوعية: novel (SiC)m/(GeC)n superlattices, interfacial layer thickness, Raman intensity profiles, lattice dynamics, localization of atomic displacements, Chemistry, QD1-999

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/2673-6497/4/4/18; https://doaj.org/toc/2673-6497

URL الوصول: https://doaj.org/article/54d79cf2ca004f52934235b9b81b0b5e

المؤلفون: Devki N. Talwar, Sky Semone, Piotr Becla

المصدر: Materials, Vol 17, Iss 13, p 3082 (2024)

مصطلحات موضوعية: novel C-based (XC)m/(YC)n superlattices, interfacial layer thickness, Raman intensity profiles, lattice dynamics, localization of atomic displacements, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/1996-1944/17/13/3082; https://doaj.org/toc/1996-1944

URL الوصول: https://doaj.org/article/96866b5def384cd8b3339e49c035dde1

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Chang, J.P.

المساهمون: Itoh, Kiyoo, editor^Aff1, Lee, Thomas, editor^Aff2, Sakurai, Takayasu, editor^Aff3, Sansen, Willy M. C., editor^Aff4, Schmitt-Landsiedel, Doris, editor^Aff5, Huff, H.R., editor^Aff6, Gilmer, D.C., editor^Aff7

المصدر: High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications. 16:379-413

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.