يعرض 1 - 10 نتائج من 1,273 نتيجة بحث عن '"molybdenum disulfide (MoS2)"', وقت الاستعلام: 1.47s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Experimental Study on High-Sensitivity MoS2Thickness Modulation Refractive Index Sensor Based on SPR-PCF

    المؤلفون: Li, K., Li, S., Du, H., Zhang, Z., Hu, L.

    المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 24(12):19007-19012 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    A Novel Molybdenum Disulfide-Based High-Precision Microwave Sensor for Methanol Gas Detection at Room Temperature

    المؤلفون: Hasan, M.M., Alev, O., Goldenberg, E., Cheffena, M.

    المصدر: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters IEEE Microw. Wireless Tech. Lett. Microwave and Wireless Technology Letters, IEEE. 34(6):691-694 Jun, 2024

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Implementing Remote Doping and Suppressed Scattering in MoS₂ Field-Effect Transistor Using CMOS-Compatible Process

    المؤلفون: Ma, W., Zhang, T., Hu, J., Kang, Y., Li, H., Zhou, J., He, Q., Wang, H., Xu, Y., Zhao, Y., Yu, B.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(5):3315-3321 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Reduction of contact resistance to PVD-MoS₂ film using aluminum–scandium alloy (AISc) edge contact

    المؤلفون: Imai, Shinya, Kajikawa, Ryosuke, Kawanago, Takamasa, Muneta, Iriya, Tsutsui, Kazuo, Tatsumi, Tetsuya, Tomiya, Shigetaka, Kakushima, Kuniyuki, Wakabayashi, Hitoshi

    المصدر: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024 8th IEEE. :1-3 Mar, 2024

    Relation: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    High quality PVD-MoS2 film on plasma-ALD-SiO2 underlaying material for CFET integration

    المؤلفون: Matsunaga, Naoki, Imai, Shinya, Shirokura, Takanori, Tsutsui, Kazuo, Kakushima, Kuniyuki, Wakabayashi, Hitoshi

    المصدر: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024 8th IEEE. :1-3 Mar, 2024

    Relation: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    SPR Dual-Parameter Sensor With Ag/MoS₂ Composite Film for Refractive Index Detection in High-Temperature Environment

    المؤلفون: Yin, Z., Jing, X., Li, K., Zhang, Z.

    المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 24(5):6159-6165 Mar, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Effectively Suppressed Short-Channel Effects in Small-Size MoS2 Transistors by Introducing Negative-Capacitance Effect Resulted From Ferroelectric HfZrO2 Film

    المؤلفون: Zou, J., Zou, X., Liu, L., Wang, H., Xu, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(2):1185-1190 Feb, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Improved Performance of MoS2 Negative-Capacitance Field-Effect Transistors With Hf1–xLaxOyNz as Gate Dielectric by Optimizing La Content and Anneal Temperature Plus NH3-Plasma Treatment

    المؤلفون: Tian, Y., Liu, L., Jiang, W., Xu, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(10):5408-5414 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Improved Performance of MoS2 Negative-Capacitance Transistors by Using Hf1-xAlxOy as Gate Dielectric Plus NH3-Plasma Treatment

    المؤلفون: Xia, Y., Liu, L., Chen, S., Xu, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(9):4892-4898 Sep, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    High-Responsivity PEDOT:PSS/SnS2/MoS2 Double-Heterostructure-Based Organic–Inorganic Broadband Photodetector

    المؤلفون: Dwivedi, A.K., Jit, S., Tripathi, S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(9):4694-4699 Sep, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء