-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Jianjun Chen, Fengyuan Gan
المصدر: Opto-Electronic Advances, Vol 5, Iss 8, Pp 1-10 (2022)
مصطلحات موضوعية: plasmonic emitters, nanometer scales, polarization manipulation, dynamical switching, bubbles, Optics. Light, QC350-467
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2096-4579
-
2دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
3
المؤلفون: P. Barthold, Hennrik Schmidt, T. Luedtke, Vladimir I. Fal'ko, Edward McCann, Rolf J. Haug
المصدر: Applied Physics Letters 93 (2008), Nr. 17
مصطلحات موضوعية: Transport characteristics, Physics and Astronomy (miscellaneous), FOS: Physical sciences, Field effect transistors, Transistors, Bottom gates, In fields, law.invention, Gapless playback, law, Monolayer, Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), ddc:530, Electron energy levels, Joints (structural components), Physics, Monolayers, Semi-conductors, Carrier densities, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, business.industry, Graphene, Bilayer, Transistor, Bi layers, Exfoliation processes, Nanometer scales, Exfoliation joint, Semiconductor, Bilayer graphene, Optoelectronics, MESFET devices, Dewey Decimal Classification::500 | Naturwissenschaften::530 | Physik, business, Nanoelectronic devices
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d9b922012904f2a85fd00e3d34004bba
http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/2863 -
4كتاب
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6مورد إلكتروني
المؤلفون: Schmidt, H., Lüdtke, T., Barthold, P., McCann, E., Fal'Ko, V.I., Haug, Rolf J.
مصطلحات الفهرس: Electron energy levels, Joints (structural components), MESFET devices, Monolayers, Transistors, Bi layers, Bilayer graphene, Bottom gates, Carrier densities, Exfoliation processes, Graphene, In fields, Nanoelectronic devices, Nanometer scales, Semi-conductors, Transport characteristics, Field effect transistors, Article, Text
URL:
http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/2863 https://doi.org/10.1063/1.3012369
Applied Physics Letters 93 (2008), Nr. 17
00036951https://doi.org/10.1063/1.3012369 -
7مورد إلكتروني
المؤلفون: CALIFORNIA UNIV SANTA BARBARA, Awschalom, D. D.
المصدر: DTIC AND NTIS
مصطلحات الفهرس: Electrical and Electronic Equipment, Electricity and Magnetism, SEMICONDUCTORS, FERROMAGNETISM, MAGNETORESISTANCE, MAGNETIC FIELDS, DEMONSTRATIONS, COHERENCE, ELECTRONS, FERROMAGNETIC MATERIALS, MAGNETIC MATERIALS, NANOTECHNOLOGY., MAGNETISM, MAGNETOELECTRONICS, NANOMETER SCALES, DMS(DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR), MCD(MAGNETIC CIRCULAR DICHROISM), MICROMECHANICAL CANTILEVERS, FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS, PE61102F, WUAFRL2305GX, Text