-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Mingxiang Zhang, Yangchun Lan, Yuanjing Lin, Fei Wang
المصدر: Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 12, Pp n/a-n/a (2024)
مصطلحات موضوعية: hydrothermal method, In‐doped GaN, N‐vacancy, photocatalytic CO2 reduction, Physics, QC1-999, Technology
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2196-7350
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Zhixuan Wang, Xiangdong Sun, Biying Ren, Zechi Chen
المصدر: Energy Reports, Vol 9, Iss , Pp 599-608 (2023)
مصطلحات موضوعية: GaN HEMT, p-doped GaN, Resonant driver, Driving power loss, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Zheng, Jiahui, Yan, XinAff1, IDs11671023037976_cor2, Zhang, XiaAff1, IDs11671023037976_cor3, Ren, Xiaomin
المصدر: Discover Nano. 18(1)
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Jiahui Zheng, Xin Yan, Xia Zhang, Xiaomin Ren
المصدر: Nanoscale Research Letters, Vol 18, Iss 1, Pp 1-10 (2023)
مصطلحات موضوعية: Nanowire, Laser, Plasmonic, Mid-infrared, n-doped GaN, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/1556-276X
-
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Danielraj, A.Aff1, IDs10825021018162_cor1, Deb, Sanjoy, Mohanbabu, A., Kumar, R. Saravana
المصدر: Journal of Computational Electronics. 21(1):169-180
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Le, Son PhuongAff1, Aff2, IDs00339022058657_cor1, Hsu, Chih-WeiAff1, Aff2, Martinovic, Ivan, Ivanov, Ivan G., Holtz, Per-OlofAff1, Aff2
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 128(9)
-
9دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.