-
1مؤتمر
المؤلفون: Fedeli, P., Puzzanghera, M., Moscatelli, F., Minamisawa, R. A., Alfieri, G., Grossner, U., Nipoti, R.
المصدر: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM) Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), European Conference on. :1-1 Sep, 2016
Relation: 2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM)
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Mehadi Hasan Ziko, Ants Koel, Toomas Rang, Muhammad Haroon Rashid
المصدر: Crystals, Vol 10, Iss 8, p 636 (2020)
مصطلحات موضوعية: p-type 4H-SiC, diffusion welding, inhomogeneity, Schottky barrier diode, barrier height, ideality factor, Crystallography, QD901-999
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Paradzah, A. T., Omotoso, E., Legodi, M. J., Auret, F. D., Meyer, W. E., Diale, M.
المصدر: Journal of Electronic Materials. August 2016 45(8):4177-4182
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Yongwei Li, Ting Liang, Cheng Lei, Yingping Hong, Wangwang Li, Zhiqiang Li, Abdul Ghaffar, Qiang Li, Jijun Xiong
المصدر: Micromachines, Vol 10, Iss 10, p 629 (2019)
مصطلحات موضوعية: p-type 4H-SiC, piezoresistive effect, ohmic contact, cantilever beam, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7
المؤلفون: Kajihara, J., Kuroki, S. -I, Ishikawa, S., Maeda, T., Sezaki, H., Makino, T., Ohshima, T., Östling, Mikael, Zetterling, Carl-Mikael, 1966
المصدر: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017. :423-427
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC, Harsh environment electronics, Nickel, Niobium, Ohmic contact, pMOSFET, Binary alloys, Electric contactors, MOSFET devices, Nickel alloys, Niobium alloys, Ohmic contacts, Silicides, Titanium alloys, Al doped, Harsh environment, Ni alloys, p-MOSFETs, P-type 4H-SiC, Silicon carbide
وصف الملف: print
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Oder, T.N., Martin, P., Adedeji, A.V., Isaacs-Smith, T., Williams, J.R.
المصدر: Journal of Electronic Materials. July 2007 36(7):805-811
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Gao, M., Tsukimoto, S., Goss, S.H., Tumakha, S.P., Onishi, T., Murakami, M., Brillson, L.J.
المصدر: Journal of Electronic Materials. April 2007 36(4):277-284
-
10
المؤلفون: Muhammad Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang, Mehadi Hasan Ziko
المصدر: Crystals
Volume 10
Issue 8
Crystals, Vol 10, Iss 636, p 636 (2020)مصطلحات موضوعية: Schottky barrier diode, Materials science, General Chemical Engineering, Schottky barrier, Thermionic emission, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Diffusion welding, 01 natural sciences, 7. Clean energy, barrier height, Inorganic Chemistry, chemistry.chemical_compound, diffusion welding, inhomogeneity, ideality factor, 0103 physical sciences, Silicon carbide, lcsh:QD901-999, General Materials Science, p-type 4H-SiC, Diode, 010302 applied physics, business.industry, Schottky diode, Atmospheric temperature range, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, chemistry, Optoelectronics, lcsh:Crystallography, 0210 nano-technology, business
وصف الملف: application/pdf