المؤلفون: Huang, Y., Ma, D.B.

المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 39(5):6246-6255 May, 2024

المؤلفون: Farhadi, M., Vankayalapati, B.T., Sajadi, R., Akin, B.

المصدر: IEEE Transactions on Vehicular Technology IEEE Trans. Veh. Technol. Vehicular Technology, IEEE Transactions on. 72(10):12728-12743 Oct, 2023

المؤلفون: Shi, Y., Wu, S., He, Z., Cai, Z., Cheng, L., Rao, Y., Xiao, Q., Chen, Y., Lu, G.

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 11:426-431 2023

المؤلفون: Yang, Fei, Pu, Shi, Akin, Bilal, Butler, Stephanie W., Wang, Gangyao

المصدر: 2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2021 IEEE. :2258-2264 Jun, 2021

Relation: 2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)

المؤلفون: Luo, H., Iannuzzo, F., Baker, N., Blaabjerg, F., Li, W., He, X.

المصدر: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power Electron. Emerging and Selected Topics in Power Electronics, IEEE Journal of. 8(2):1622-1632 Jun, 2020

المؤلفون: Yijun Shi, Shan Wu, Zhiyuan He, Zongqi Cai, Liye Cheng, Yunliang Rao, Qingzhong Xiao, Yiqiang Chen, Guoguang Lu

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 426-431 (2023)

مصطلحات موضوعية: GaN HEMTs, power cycling test, package degradation, chip-level degradation, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/10188904/; https://doaj.org/toc/2168-6734

URL الوصول: https://doaj.org/article/62263d63d3614aa89dbce2ee308612e3

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.