يعرض 1 - 10 نتائج من 55 نتيجة بحث عن '"raised source/drain (RSD)"', وقت الاستعلام: 1.33s تنقيح النتائج
  1. 1
  2. 2
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Gupta, M., Kranti, A.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(6):2406-2412 Jun, 2018

  3. 3
    مؤتمر

    المؤلفون: Lin, Kuan-Ting, Chien, Feng-Tso

    المصدر: 2014 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2014 21st International Workshop on. :335-338 Jul, 2014

    Relation: 2014 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)

  4. 4
    مؤتمر

    المصدر: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2011 12th International Conference on. :1-4 Mar, 2011

    Relation: 2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)

  5. 5
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 60(7):2135-2141 Jul, 2013

  6. 6
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Chien, F.-T., Chang, M.-C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 57(5):1173-1177 May, 2010

  7. 7
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Vega, R. A., Liu, T.-J. K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(7):1483-1492 Jul, 2009

  8. 8
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(3):441-447 Mar, 2009

  9. 9
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Vega, R. A., Liu, T.-J. K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(10):2665-2677 Oct, 2008

  10. 10
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 32(8):1080-1082 Aug, 2011