يعرض 1 - 3 نتائج من 3 نتيجة بحث عن '"source/drain patterning"', وقت الاستعلام: 1.08s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    TCAD-Based Flexible Fin Pitch Design for 3-nm Node 6T-SRAM Using Practical Source/Drain Patterning Scheme

    المؤلفون: Lee, J., Yoon, J., Lee, S., Jeong, J., Baek, R.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(3):1031-1036 Mar, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Source/Drain Patterning FinFETs as Solution for Physical Area Scaling Toward 5-nm Node

    المؤلفون: Yoon, J., Lee, S., Lee, J., Jeong, J., Yun, H., Kang, B., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 7:172290-172295 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Source/Drain Patterning FinFETs as Solution for Physical Area Scaling Toward 5-nm Node

    المؤلفون: Jun-Sik Yoon, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Jinsu Jeong, Hyeok Yun, Bohyeon Kang, Rock-Hyun Baek

    المصدر: IEEE Access, Vol 7, Pp 172290-172295 (2019)

    مصطلحات موضوعية: 5-nm node, source/drain patterning, FinFETs, longitudinal channel stress, ring oscillator, performance-power-area, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8917552/; https://doaj.org/toc/2169-3536

    URL الوصول: https://doaj.org/article/944b025043ea47f986f71fc38ce538cb

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء