المؤلفون: Alsawalhi, J. Y., Sudhoff, S. D.

المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 49(11):5438-5445 Nov, 2013

المؤلفون: V. P. Babenko, V. K. Bityukov, V. V. Kuznetsov, D. S. Simachkov

المصدر: Российский технологический журнал, Vol 6, Iss 1, Pp 20-39 (2018)

مصطلحات موضوعية: mosfet-ключ, simulation, static loss, dynamic loss, mosfet key, open transistor channel resistance, input capacitance, miller effect, switching losses, circuit simulation, driver, total gate charge, switch on time, switch off time, Information theory, Q350-390

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/98; https://doaj.org/toc/2500-316X

URL الوصول: https://doaj.org/article/ab0632fff41e42169f254cffd21d3d25

المؤلفون: Petrecca, Giovanni^Aff3

المساهمون: Lipo, Thomas A., editor^Aff1, Petrecca, Giovanni^Aff2

المصدر: Industrial Energy Management : Principles and Applications. :201-217

المؤلفون: Mazzetti, P.^Aff6

المساهمون: Ecker, Günter, editor^Aff1, Engl, Walter, editor^Aff2, Felsen, Leopold B., editor^Aff3, Fu, King Sun, editor^Aff4, Huang, Thomas S., editor^Aff4, Wolf, Dietrich, editor^Aff5

المصدر: Noise in Physical Systems : Proceedings of the Fifth International Conference on Noise, Bad Nauheim, Fed. Rep. of Germany, March 13–16, 1978. 2:192-198

Degree: PhD

مصطلحات موضوعية: loss power, semiconductor device, static loss, мощность, converter, dynamic loss, turn-on time, электроснабжение, computer simulation, transistor, потери энергии, turn off-time, MatLab model, электромагнитные процессы

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3033::78a01fe6278a823759250f5d4d73755e
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/13418

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.