-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Norrga, S., Nee, H.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 37(4):4133-4147 Apr, 2022
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Norrga, S., Hallen, A., Nee, H.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 36(5):5874-5891 May, 2021
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Nee, H.
المصدر: IEEE Open Journal of Power Electronics IEEE Open J. Power Electron. Power Electronics, IEEE Open Journal of. 2:304-314 2021
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Daniel Johannesson, Muhammad Nawaz, Hans-Peter Nee
المصدر: IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 2, Pp 304-314 (2021)
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC device, JTE structure, junction termination extension design, PiN Diode, ultrahigh-voltage device, wide bandgap device, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource