High-Field Transport and Impact Ionization in Wide Bandgap Semiconductors.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	High-Field Transport and Impact Ionization in Wide Bandgap Semiconductors.
المؤلفون:	Reigrotzki, M., Dür, M., Schattke, W., Fitzer, N., Redmer, R., Goodnick, St.M.
المصدر:	Physica Status Solidi (B); Nov1997, Vol. 204 Issue 1, p528-530, 3p
قاعدة البيانات:	Complementary Index

كن أول من يترك تعليقا!