مؤتمر
Design and DC parameter extraction of the high linearity Al0.27Ga0.73N/AlN/Al0.04Ga0.96N/GaN HEMT.
العنوان: | Design and DC parameter extraction of the high linearity Al0.27Ga0.73N/AlN/Al0.04Ga0.96N/GaN HEMT. |
---|---|
المؤلفون: | Zhiqun Cheng, Qingna Wang, Zhihong Feng, Jianbo Song, Jiayun Yin |
المصدر: | 2011 International Conference on Electronics, Communications & Control (ICECC); 2011, p1979-1981, 3p |
قاعدة البيانات: | Complementary Index |
كن أول من يترك تعليقا!