دورية أكاديمية

Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness
المؤلفون: Yu, E., Lyu, X., Si, M., Ye, P.D., Roy, K.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(6):2962-2969 Jun, 2023
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library