دورية أكاديمية
Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness
العنوان: | Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness |
---|---|
المؤلفون: | Yu, E., Lyu, X., Si, M., Ye, P.D., Roy, K. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(6):2962-2969 Jun, 2023 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!