دورية أكاديمية

Roles of Trap States in the Dynamic Degradation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under AC Gate Bias Stress

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Roles of Trap States in the Dynamic Degradation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under AC Gate Bias Stress
المؤلفون: Zhang, B., Zhang, D., Wang, M., Wang, H., Wang, R.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(1):588-594 Jan, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2023.3333289