دورية أكاديمية

In-Depth DTCO Analysis on Scaling Gate-All-Around Nanosheets/Nanowires for 20 Å Node and Beyond Technologies

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: In-Depth DTCO Analysis on Scaling Gate-All-Around Nanosheets/Nanowires for 20 Å Node and Beyond Technologies
المؤلفون: Das, U.K., Raza Ansari, M.H., Hussain, M.M., El-Atab, N.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(8):4483-4488 Aug, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3409643