دورية أكاديمية

Single electron effects and structural effects in ultrascaled silicon nanocrystal floating-gate memories

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Single electron effects and structural effects in ultrascaled silicon nanocrystal floating-gate memories
المؤلفون: Molas, G., De Salvo, B., Ghibaudo, G., Mariolle, D., Toffoli, A., Buffet, N., Puglisi, R., Lombardo, S., Deleonibus, S.
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 3(1):42-48 Mar, 2004
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1536125X
19410085
DOI:10.1109/TNANO.2004.824016