دورية أكاديمية

Threshold voltage control in NiSi-gated MOSFETs through SIIS

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Threshold voltage control in NiSi-gated MOSFETs through SIIS
المؤلفون: Kedzierski, J., Boyd, D., Cabral, C., Jr., Ronsheim, P., Zafar, S., Kozlowski, P.M., Ott, J.A., Meikei Ieong
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 52(1):39-46 Jan, 2005
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2004.841264