دورية أكاديمية
Current-gain characteristics of Schottky-barrier and p-n junction electron-beam semiconductor diodes
العنوان: | Current-gain characteristics of Schottky-barrier and p-n junction electron-beam semiconductor diodes |
---|---|
المؤلفون: | Siekanowicz, W.W., Ho-Chung Huang, Enstrom, R.E., Martinelli, R.U., Ponczak, S., Olmstead, J. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 21(11):691-701 Nov, 1974 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!