دورية أكاديمية

Circuit design guidelines for n-channel MOSFET hot carrier robustness

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Circuit design guidelines for n-channel MOSFET hot carrier robustness
المؤلفون: Mistry, K.R., Fox, T.F., Preston, R.P., Arora, N.D., Doyle, B.S., Nelsen, D.E.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 40(7):1284-1295 Jul, 1993
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.216434