دورية أكاديمية

An Analytical Model for the Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LIGBT) on Thin SOI

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: An Analytical Model for the Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LIGBT) on Thin SOI
المؤلفون: Pathirana, V., Napoli, E., Udrea, F., Gamage, S.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 21(6):1521-1528 Nov, 2006
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:08858993
19410107
DOI:10.1109/TPEL.2006.882976