A CMOS-compatible, high RF power, Asymmetric-LDD MOSFET with excellent linearity

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A CMOS-compatible, high RF power, Asymmetric-LDD MOSFET with excellent linearity
المؤلفون: Chang, T., Kao, H. L., Chen, Y. J., Liu, S. L., McAlister, S. P., Chin, Albert
المصدر: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International. :1-4 Dec, 2008
Relation: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:9781424423774
9781424423781
تدمد:01631918
2156017X
DOI:10.1109/IEDM.2008.4796724