Integrity of gate oxide on TFSOI materials

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Integrity of gate oxide on TFSOI materials
المؤلفون: Hong, S.O., Wetteroth, T., Shin, H., Wilson, S.R., Huang, W.M., Foerstner, J., Racanelli, M., Shin, H.C., Hwang, B.-Y., Schroder, D.K.
المصدر: 1995 IEEE International SOI Conference Proceedings SOI conference SOI Conference, 1995. Proceedings., 1995 IEEE International. :22-23 1995
Relation: 1995 IEEE International SOI Conference Proceedings
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:0780325478
9780780325470
DOI:10.1109/SOI.1995.526441