دورية أكاديمية

Design and Iso-Area $V_{\min}$ Analysis of 9T Subthreshold SRAM With Bit-Interleaving Scheme in 65-nm CMOS

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Design and Iso-Area $V_{\min}$ Analysis of 9T Subthreshold SRAM With Bit-Interleaving Scheme in 65-nm CMOS
المؤلفون: Chang, M.-H., Chiu, Y.-T., Hwang, W.
المصدر: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs IEEE Trans. Circuits Syst. II Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions on. 59(7):429-433 Jul, 2012
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:15497747
15583791
DOI:10.1109/TCSII.2012.2198984