دورية أكاديمية

Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes
المؤلفون: Chang, H.-M., Lai, W.-C., Chang, S.-J.
المصدر: Journal of Display Technology J. Display Technol. Display Technology, Journal of. 9(4):292-296 Apr, 2013
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1551319X
15589323
DOI:10.1109/JDT.2012.2235817