دورية أكاديمية

Capacitance Modeling in III–V FinFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Capacitance Modeling in III–V FinFETs
المؤلفون: Yadav, C., Duarte, J.P., Khandelwal, S., Agarwal, A., Hu, C., Chauhan, Y.S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 62(11):3892-3897 Nov, 2015
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library