دورية أكاديمية

On the Understanding of Cathode Related Trapping Effects in GaN-on-Si Schottky Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: On the Understanding of Cathode Related Trapping Effects in GaN-on-Si Schottky Diodes
المؤلفون: Lorin, T., Vandendaele, W., Gwoziecki, R., Baines, Y., Biscarrat, J., Jaud, M., Gillot, C., Charles, M., Plissonnier, M., Ghibaudo, G., Gaillard, F.
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 6:956-964 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library