دورية أكاديمية

Impact of c-Si Surface Passivating Layer Thickness on n+ Laser-Doped Contacts Based on Silicon Carbide Films

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Impact of c-Si Surface Passivating Layer Thickness on n+ Laser-Doped Contacts Based on Silicon Carbide Films
المؤلفون: Lopez, G., Jin, C., Martin, I., Alcubilla, R.
المصدر: IEEE Journal of Photovoltaics IEEE J. Photovoltaics Photovoltaics, IEEE Journal of. 8(4):976-981 Jul, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:21563381
21563403
DOI:10.1109/JPHOTOV.2018.2836963