دورية أكاديمية

Novel capacitor process using diffusion barrier rounded by Si3N4 spacer for high density FRAM device

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Novel capacitor process using diffusion barrier rounded by Si3N4 spacer for high density FRAM device
المؤلفون: Bon Jae Koo, Yoon Jong Song, Sung Yung Lee, Dong Jin Jung, Hyun Ho Kim, Suk Ho Joo, Yong Tak Lee, Kinam Kim
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 21(6):280-282 Jun, 2000
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/55.843150