التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
A ${c}$ -Axis-Aligned Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET With a Gate Length of 21 nm Suitable for Memory Applications |
| المؤلفون: |
Kunitake, H., Ohshima, K., Tsuda, K., Matsumoto, N., Koshida, T., Ohshita, S., Sawai, H., Yanagisawa, Y., Saga, S., Arasawa, R., Seki, T., Honda, R., Baba, H., Shimada, D., Kimura, H., Tokumaru, R., Atsumi, T., Kato, K., Yamazaki, S. |
| المصدر: |
IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 7:495-502 2019 |
| قاعدة البيانات: |
IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder