دورية أكاديمية
Enhanced Reliability of Ferroelectric HfZrOx on Semiconductor by Using Epitaxial SiGe as Substrate
| العنوان: | Enhanced Reliability of Ferroelectric HfZrOx on Semiconductor by Using Epitaxial SiGe as Substrate |
|---|---|
| المؤلفون: | Chen, K., Huang, Y., Kao, R., Lin, Y., Hsieh, K., Wu, Y. |
| المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(8):3636-3639 Aug, 2019 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!