دورية أكاديمية
A 0.4-/spl mu/m 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit
العنوان: | A 0.4-/spl mu/m 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit |
---|---|
المؤلفون: | Byung-Gil Jeon, Mun-Kyu Choi, Yoonjong Song, Seung-Kyu Oh, Yeonbae Chung, Kang-Deog Suh, Kinam Kim |
المصدر: | IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 35(11):1690-1694 Nov, 2000 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!