دورية أكاديمية
Exploration of Negative Capacitance in Gate-All-Around Si Nanosheet Transistors
العنوان: | Exploration of Negative Capacitance in Gate-All-Around Si Nanosheet Transistors |
---|---|
المؤلفون: | Sakib, F.I., Hasan, M.A., Hossain, M. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(11):5236-5242 Nov, 2020 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
تدمد: | 00189383 15579646 |
---|---|
DOI: | 10.1109/TED.2020.3025524 |