دورية أكاديمية

Exploration of Negative Capacitance in Gate-All-Around Si Nanosheet Transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Exploration of Negative Capacitance in Gate-All-Around Si Nanosheet Transistors
المؤلفون: Sakib, F.I., Hasan, M.A., Hossain, M.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(11):5236-5242 Nov, 2020
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2020.3025524