دورية أكاديمية
300 GHz InP/GaAsSb/InP double HBTs with high current capability and BV/sub CEO/>6 V
| العنوان: | 300 GHz InP/GaAsSb/InP double HBTs with high current capability and BV/sub CEO/>6 V |
|---|---|
| المؤلفون: | Dvorak, M.W., Bolognesi, C.R., Pitts, O.J., Watkins, S.P. |
| المصدر: | IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 22(8):361-363 Aug, 2001 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!