دورية أكاديمية

Metalorganic chemical vapor deposition of InGaAsN using dilute nitrogen trifluoride

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Metalorganic chemical vapor deposition of InGaAsN using dilute nitrogen trifluoride
المؤلفون: Cheng, S.F., Woo, R.L., Noori, A.M., Malouf, G., Goorsky, M.S., Hicks, R.F.
المصدر: In Journal of Crystal Growth 2007 299(2):277-281
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2006.11.207